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IRFZ44N,127详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ44NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRFZ44NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRFZ44NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：94W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRFZ44NS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRFZ44NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：49A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

FK26C0G2J821J
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 820PF 630V 5% RADIAL
ISL8200MEVAL1PHZ
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Intersil * EVAL BAORD FOR ISL8200
IRFZ44NS
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
H7PXH-1510G
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB - HMM15H/AE15G/X
H5BBT-10102-B0-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040B/H2730TR 2"
IS31LT3380-GRLS3-TR
PMIC - LED 驱动器 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC LED DRVR STEP DOWN 8SOP
GRM0335C1E7R2CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 7.2PF 25V NP0 0201
FK26X5R0J156M
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 15UF 6.3V 20% RADIAL
FK26X5R0J226M
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 22UF 6.3V 20% RADIAL
H7PXH-2506G
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB - HMM25H/AE25G/X
H5BBT-10102-S0-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040S/H2730TR 2"
IS31LT3380-GRLS3-TR
PMIC - LED 驱动器 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC LED DRVR STEP DOWN 8SOP
GRM0335C1E7R3CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 7.3PF 25V NP0 0201
FK26X5R0J476M
陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 47UF 6.3V 20% RADIAL
IRFZ44S
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

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